15부 · 메모리 소자와 기술

III 반도체 소자 · 13개 장

1. 15.1메모리 계층과 요구 조건6절
2. 15.2SRAM7절
3. 15.3DRAM 셀과 동작7절
4. 15.4DRAM 어레이와 주변 회로9절
5. 15.5DRAM 고속 인터페이스8절
6. 15.6플래시 메모리의 물리8절
7. 15.7NOR와 NAND 어레이8절
8. 15.8플래시 신뢰성8절
9. 15.93D NAND7절
10. 15.10NAND 성능 기술과 SSD7절
11. 15.11차세대 메모리8절
12. 15.12고대역폭 메모리6절
13. 15.13메모리 중심 아키텍처6절

기준 교재 — Brewer·Gill, Nonvolatile Memory Technologies with Emphasis on Flash · Keeth·Baker, DRAM Circuit Design 2e · Taur·Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices 3e · Sze·Li·Ng, Physics of Semiconductor Devices 4e · IEDM·ISSCC·VLSI Symposium 자료 · Lau, Semiconductor Advanced Packaging · Hennessy·Patterson, Computer Architecture: A Quantitative Approach 6e