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18부 반도체 공정 18.18

건식 식각

이 장은 아직 집필 전이다. 절 구성만 잡혀 있다.

식각 파라미터(식각률·선택비·바이어스·균일도)

섹션 제목: “식각 파라미터(식각률·선택비·바이어스·균일도)”

식각 기구(화학적·물리적·이온 보조)

섹션 제목: “식각 기구(화학적·물리적·이온 보조)”

식각 장치의 유형(배럴·평행판·RIE·HDP·이온 밀링)

섹션 제목: “식각 장치의 유형(배럴·평행판·RIE·HDP·이온 밀링)”

마스크 침식·트렌칭과 로딩 효과

섹션 제목: “마스크 침식·트렌칭과 로딩 효과”

막종별 식각 공정(유전막·실리콘·금속)

섹션 제목: “막종별 식각 공정(유전막·실리콘·금속)”