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13부 MOS 커패시터와 MOSFET 기초 13.4

게이트 유전체의 고전계 효과와 열화

이 장은 아직 집필 전이다. 절 구성만 잡혀 있다.

SiO₂로의 터널링 — FN과 직접 터널링

섹션 제목: “SiO₂로의 터널링 — FN과 직접 터널링”

실리콘에서 산화막으로의 핫캐리어 주입

섹션 제목: “실리콘에서 산화막으로의 핫캐리어 주입”

게이트 다이오드의 고전계 효과

섹션 제목: “게이트 다이오드의 고전계 효과”

산화막 트랩과 분포 회로 모델

섹션 제목: “산화막 트랩과 분포 회로 모델”

유전 파괴와 TDDB

섹션 제목: “유전 파괴와 TDDB”

게이트 누설이 소자에 미치는 영향

섹션 제목: “게이트 누설이 소자에 미치는 영향”