소자 파라미터와 결함 계측

이 장은 아직 집필 전이다. 절 구성만 잡혀 있다.

직렬 저항과 채널 길이·폭 추출

문턱 전압 추출법의 비교

MOSFET 이동도 추출(유효·전계효과·포화)

캐리어 수명 — 광학적 측정(μ-PCD·QSSPC·SPV)

캐리어 수명 — 전기적 측정(OCVD·펄스 MOS-C)

산화막 전하와 플랫밴드 전압

계면 준위와 전하 펌핑

DLTS와 깊은 준위