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17부 광·전력·센서 소자 17.10

전력 스위칭 소자

이 장은 아직 집필 전이다. 절 구성만 잡혀 있다.

파워 MOSFET의 셀 구조 — VD·U-MOSFET

섹션 제목: “파워 MOSFET의 셀 구조 — VD·U-MOSFET”

온저항의 성분과 셀 최적화

섹션 제목: “온저항의 성분과 셀 최적화”

소자 커패시턴스와 게이트 전하

섹션 제목: “소자 커패시턴스와 게이트 전하”

스위칭 특성과 손실

섹션 제목: “스위칭 특성과 손실”

전력 BJT와 다링턴

섹션 제목: “전력 BJT와 다링턴”

사이리스터와 GTO

섹션 제목: “사이리스터와 GTO”

IGBT의 동작과 온상태 특성

섹션 제목: “IGBT의 동작과 온상태 특성”

IGBT의 스위칭과 래치업 억제

섹션 제목: “IGBT의 스위칭과 래치업 억제”

SiC MOSFET과 GaN HEMT

섹션 제목: “SiC MOSFET과 GaN HEMT”