5.2는 슈뢰딩거 방정식을 세우고 끝났다. 이 장은 그 방정식을 실제로 풀 수 있는 몇 안 되는
퍼텐셜에 대해 끝까지 푼다. 무한 우물, 조화진동자, 자유 입자, 델타 함수, 유한 우물, 계단과
장벽 — 여섯이 전부이고, 이 여섯이 양자역학의 어휘다. 뒤에 나오는 어떤 문제도 결국 이 여섯
중 하나를 닮았거나, 이 여섯을 이어 붙인 것이거나, 이 여섯 중 하나로 근사된다.
반도체 쪽에서 보면 이 장은 소자 물리의 절반이다. 전자가 느끼는 퍼텐셜 V(x) 자리에
전도대 바닥 Ec(x) 를, 질량 m 자리에 유효질량 m∗ 를 넣으면 —
에서 퍼텐셜이 시간에 안 걸리면 변수분리 Ψ(x,t)=ψ(x)φ(t) 가 된다
(1.7.4변수분리법). 시간 부분은 언제나 φ(t)=e−iEt/ℏ 이고, 공간 부분이
이 장의 방정식 — 시간 독립 슈뢰딩거 방정식이다.
−2mℏ2dx2d2ψ+V(x)ψ=Eψ
분리 상수 E 가 에너지다. 이 방정식의 해 ψ(x) 로 만든 Ψ=ψe−iEt/ℏ 를
정상상태라 부르는 이유는, ∣Ψ∣2=∣ψ∣2 이고 모든 기대값이 시간에 안 걸리기
때문이다. 정상상태 자체는 아무것도 하지 않는다. 움직이는 것은 정상상태들의 겹침이다.
Ψ(x,t)=n∑cnψn(x)e−iEnt/ℏ
이 한 줄이 이 장의 모든 절이 향하는 목적지다. 퍼텐셜마다 {ψn,En} 을 구해 두면 초기
상태 Ψ(x,0) 가 무엇이든 cn=∫ψn∗Ψ(x,0)dx 로 계수를 읽어 시간 발전을
쓸 수 있다. 계수를 그렇게 읽을 수 있는 것은 ψn 들이 직교하고 완전하기 때문인데,
그것은 증명할 필요가 없다. 위 방정식은 p=ℏ2/2m, q=−V, w=1 인 스투름–리우빌
문제이고(1.6.1자체 수반 형식과 에르미트 연산자), 직교성·실수 고유값·완전성·마디 정리가 전부 거기서 따라온다.
이 장은 그 일반론이 구체적인 퍼텐셜에서 어떤 얼굴로 나타나는가를 본다.
표기는 Griffiths를 기준으로 한다. 이 장에는 대소문자만 다른 짝과 같은 글자가 절마다
다른 뜻인 경우가 유난히 많다. 먼저 못박아 둔다.
기호
읽는 법
무엇을 가리키는가
단위
Ψ(x,t)
대문자 프사이
시간까지 든 전체 파동함수
m−1/2
ψ(x)
소문자 프사이
정상상태의 공간 부분. Ψ=ψe−iEt/ℏ
m−1/2
E
에너지. 이 장에서 전기장은 안 나온다 — 8절 끝에 한 번 나오면 E 로 쓴다
J, eV
En
n 번째 허용 에너지(고유값)
V(x), V0
퍼텐셜 에너지와 그 높이·깊이. 전압이 아니다
J, eV
k
파수2mE/ℏ (허용 영역, 진동). 볼츠만 상수가 아니다
m−1
κ
카파
감쇠 상수2m(V0−E)/ℏ (금지 영역, 지수 감쇠)
m−1
ℓ
엘
유한 우물 안쪽의 파수 2m(E+V0)/ℏ (6절)
m−1
n
양자수. 우물은 n=1,2,…, 진동자는 n=0,1,… — 전자 농도가 아니다
m
입자의 질량. 반도체 안에서는 유효질량 m∗ 로 바꿔 읽는다
kg
a
1절: 우물 폭(0<x<a). 6절: 우물 반폭(−a<x<a). 7·8절: 장벽 폭
m
a±
에이 플러스·마이너스
2절의 사다리 연산자 — 길이가 아니다
ω
오메가
진동자의 고전 각진동수(2·3절), 파동의 각진동수 E/ℏ (4절)
s−1
ξ, K
크시, 케이
무차원 좌표 mω/ℏx 와 무차원 에너지 2E/ℏω (3절)
α
알파
델타 퍼텐셜의 세기V=−αδ(x) (5절)
J⋅m
A,B,F
입사·반사·투과 진폭(5·7절). C,D 는 가운데 영역의 진폭
R, T
반사·투과 계수 — 확률의 비. 저항도 온도도 운동에너지도 아니다
J
확률 흐름(8절). 전류 밀도가 아니다
s−1
σx, σp
시그마
위치·운동량의 표준편차(4절)
이어 붙이는 규칙도 한 번만 적어 둔다. ψ 는 언제나 연속이고, ψ′ 은 V 가
유한한 곳에서 연속이다. V 가 무한대로 뛰는 곳(1절의 벽)에서는 ψ′ 이 불연속일 수
있고, V 에 델타 함수가 있는 곳(5절)에서는 ψ′ 이 정해진 크기만큼 뛴다. 세 경우 모두
슈뢰딩거 방정식을 경계 양옆의 좁은 구간에서 적분하면 나온다 — 5절에서 그 계산을 한다.
고전 조화진동자 방정식과 같은 꼴이고(1.4.42계 선형 ODE와 상수 계수), 일반해는
ψ=Asinkx+Bcoskx 다. 경계에서 ψ 는 연속이어야 하므로 ψ(0)=ψ(a)=0.
첫 조건이 B=0 을, 둘째 조건이 sinka=0 을 준다. k=0 은 ψ≡0 이라 버리고,
음수 k 는 sin(−kx)=−sinkx 라 부호만 바뀌어 새 해가 아니다. 남는 것은
kn=anπ,n=1,2,3,…
이고, 따라서 에너지는
En=2mℏ2kn2=2ma2n2π2ℏ2
정규화 ∫0a∣A∣2sin2(nπx/a)dx=∣A∣2a/2=1 에서 ∣A∣=2/a 이고, 위상은
아무래도 좋으니 실수로 고른다.
ψn(x)=a2sin(anπx)
그림 5.3-1. 폭 a의 무한 우물 안에 정상상태 ψ_n(n = 1, 2, 3, 4)을 각각의 에너지 높이 E_n = n²E₁에 얹은 그림. 준위 간격은 위로 갈수록 벌어지고(3E₁, 5E₁, 7E₁, …), n번째 파동함수는 안쪽에 마디가 n − 1개다. 벽 밖은 V = ∞라 파동함수가 정확히 0이며, 벽에서 ψ는 0이지만 ψ′은 0이 아니다 — 벽 안쪽으로 꺾여 들어온다.직접 작도
수치를 넣어 본다. 자유 전자(m=m0)를 폭 1 nm 우물에 넣으면 E1=0.376eV, 10 nm면
3.76meV. 그런데 GaAs 양자우물의 전자는 m∗=0.067m0 라, 폭 10 nm에서
E1=56meV 이고 E2=224meV 다. 상온 열에너지 kBT=26meV 보다
준위 간격이 훨씬 크다 — 상온에서도 양자화가 보이는 이유이고, 양자우물 레이저의 발진
파장을 우물 폭으로 설계하는 근거다(17.4). 실리콘 나노시트는 유효질량이 더 무거워
(m∗≈0.92m0 또는 0.19m0, 방향에 따라) 같은 폭에서 준위가 낮지만, 폭이
5 nm 아래로 가면 역시 수십 meV가 되어 문턱전압을 밀어 올린다(14.9).
그림 5.3-2. 무한 우물의 바닥상태와 첫 들뜬상태를 같은 무게로 겹친 상태의 확률 밀도를 t = 0, T/4, T/2에서 그린 것. 밀도가 왼쪽에 몰렸다가 오른쪽으로 옮겨 가고, 기대값 ⟨x⟩(점)가 주기 T = 2πħ/(E₂ − E₁)로 왕복한다. 점선은 정상상태 ψ₁ 하나의 밀도로, 시간이 지나도 변하지 않는다 — 움직이는 것은 언제나 둘 이상의 겹침이다.직접 작도
짝수 n 은 0이다 — 초기 상태가 중심 대칭(우함수)이라 기함수 ψ2,4,… 와 직교한다.
홀수 n 에서 cn=815/(nπ)3 이고, ∣c1∣2=960/π6≈0.9986 이다.
포물선이 사인과 그만큼 닮았다는 뜻이고, ∑∣cn∣2=1 은
∑홀수1/n6=π6/960 이라는 급수 항등식이 된다(1.5.1무한급수와 수렴 판정).
평균 에너지는
정육면체면 (nx,ny,nz) 의 순열이 같은 에너지를 주어 축퇴가 생긴다 — (1,1,2),
(1,2,1), (2,1,1) 이 셋 다 6E1 이다. 대칭성이 축퇴를 낳는 첫 예이고(5.7), 한 방향만
좁으면 그 방향만 양자화되어 양자우물(2차원 전자), 두 방향이면 양자선, 세 방향이면
양자점이다. 3차원 문제는 5.5에서 정면으로 다룬다 — 여기서는 1차원 결과를 세 번
더한 것뿐이라는 사실만 챙긴다.
이고 1차 항은 극소라서 없다. 그러니 작은 진동은 전부 조화진동자이고, 용수철 상수
ks=V′′(x0), 각진동수 ω=ks/m 다. 격자 진동(포논)이 이것이고(7.4), 분자의
진동 스펙트럼이 이것이며, 자기장 속 전자의 궤도 운동(란다우 준위)과 전자기장의 각 모드
(광자)까지 수학적으로 같은 문제다. 이 절에서 쓰는 방정식은
−2mℏ2dx2d2ψ+21mω2x2ψ=Eψ
이고, Griffiths를 따라 두 번 푼다. 이 절은 대수적 방법 — 미분방정식을 한 줄도 풀지 않고
연산자의 교환 관계만으로 스펙트럼을 얻는다. 다음 절은 해석적 방법 — 급수로 정면
돌파해 파동함수의 꼴을 얻는다.
가운데에서 a−a+=a+a−+1 을 썼다. 같은 계산으로
H^(a−ψ)=(E−ℏω)(a−ψ). 그러니 해 하나를 알면 ℏω 간격의
해 전부를 안다 — a+ 는 한 칸 올리는 올림 연산자, a− 는 한 칸 내리는
내림 연산자다. 둘을 합쳐 사다리 연산자라 부른다.
그림 5.3-3. 조화진동자의 등간격 준위 E_n = (n + ½)ħω를 사다리로 그리고, 올림 연산자 a₊가 인자 √(n+1)을 붙여 한 칸 올리고 내림 연산자 a₋가 인자 √n을 붙여 한 칸 내리는 것을 화살표로 나타낸 그림. 바닥에서는 a₋ψ₀ = 0이라 사다리가 끝나고, 이 조건 하나가 바닥 파동함수와 바닥 에너지 ½ħω를 정한다.직접 작도
내림을 반복하면 에너지가 ℏω 씩 줄어 언젠가 음수가 된다. 그런데 에너지는 음수가
될 수 없다 — H^=ℏω(a+a−+21) 의 기대값은
ℏω(∥a−ψ∥2+21)≥21ℏω 이기 때문이다.
모순을 피하는 길은 하나뿐이다. 어느 단에서 a−ψ=0 이 되어 사다리가 끝나야 한다.
그 단이 바닥상태 ψ0 이고, 조건은 1계 미분방정식이다.
큰 j 에서 점화식은 aj+2≈j2aj 이고, 이것의 해는 aj≈C/(j/2)! 이다.
그러면
h(ξ)≈C∑(j/2)!ξj=Ck∑k!ξ2k=Ceξ2⟹ψ≈Ce+ξ2/2
버렸던 바로 그 해가 급수 뒤로 돌아온다. 점근 인자를 떼어 냈는데도 급수가 무한히 이어지면
결국 같은 발산으로 간다. 살아남는 길은 급수가 다항식으로 끊어지는 것뿐이다. 어느 j=n
에서 분자 2n+1−K=0 이면 an+2=an+4=⋯=0 이고(다른 패리티의 급수는 a0 또는
a1 을 0으로 놓아 죽인다), 그 조건이
K=2n+1⟺En=(n+21)ℏω
2절과 같은 답이 전혀 다른 길로 나왔다.
그림 5.3-4. 무차원 방정식 ψ″ = (ξ² − K)ψ를 원점에서 ψ = 1, ψ′ = 0(우함수 조건)으로 출발해 바깥으로 수치 적분한 결과. K = 5(n = 2)에서는 해가 e^(−ξ²/2)로 줄어들어 정규화되지만, K = 4.6과 5.4에서는 커지는 해 e^(+ξ²/2)가 섞여 들어와 각각 −∞와 +∞로 달아난다. 정규화 조건이 허용 에너지를 K = 2n + 1로 잘라 내는 장면이고, K가 클수록 마디가 하나 더 생긴다 — 진동 정리다.직접 작도
n=0 을 넣으면 2절의 가우시안이고, n=1 은 ξe−ξ2/2 에 상수 — 2절에서
a+ψ0 을 손으로 계산해도 같다. 생성함수·점화식·로드리게스 공식·직교성(가중 e−ξ2)
은 1.5.11에르미트·라게르 다항식에 정리돼 있고, 거기서 이미 사다리 연산자 (D∓ξ) 로 Hn 을
오르내리는 방법까지 적어 두었다 — 그것이 2절의 a± 를 무차원 좌표로 쓴 것이다.
n 이 크면 ∣ψn∣2 이 어떻게 생겼는가. 같은 에너지의 고전 진동자는 회귀점
ξt=±K=±2n+1 사이를 오가고, 한 위치에 머무는 시간은 속도에
반비례하므로 위치 분포는
ρ고전(ξ)=πξt2−ξ21
중심에서 가장 낮고(가장 빠르다) 회귀점에서 발산한다(멈춘다). 양자 밀도는 빠르게 진동하되
그 포락선이 정확히 이 곡선을 따라간다.
그림 5.3-5. 조화진동자의 n = 12 정상상태 확률 밀도(실선)와, 같은 에너지의 고전 진동자가 각 위치에 머무는 시간 밀도 1/(π√(ξₜ² − ξ²))(점선). 양자 밀도는 마디 12개를 두고 진동하지만 그 평균은 고전 밀도를 따라가고, 회귀점 ±√(2n+1) 근처에서 가장 크며 그 밖으로 지수적으로 줄어든다. 바닥상태(n = 0)는 정반대로 중심에서 가장 크다 — 고전과 가장 멀다.직접 작도
을 준다. ν=2 에서 n1, ν→∞(수직 벽)에서 n2, ν=1(삼각 우물)에서
n2/3 이다. 벽이 가파를수록 위로 갈수록 준위가 벌어지고, 벽이 완만할수록 촘촘해진다.
MOS 반전층의 퍼텐셜은 표면에서 급하고 안쪽으로 완만한 삼각형에 가까워 서브밴드가
n2/3 꼴로 올라간다(13.1) — 이 규칙 하나로 세 우물의 스펙트럼이 한 줄에 놓인다.
군속도가 고전 속도다. 두 배 역설은 “낱개 파의 속도”와 “봉우리의 속도”를 혼동한 것이었다.
그림 5.3-6. 자유 입자의 분산 관계 ω = ħk²/2m을 그린 포물선 위의 한 점 (k₀, ω₀)에서, 원점에서 그은 현의 기울기가 위상속도 ω₀/k₀ = ħk₀/2m이고 접선의 기울기가 군속도 dω/dk = ħk₀/m이다. 포물선이라 접선의 기울기가 현의 정확히 두 배이며, 파속의 봉우리는 낱개 파의 두 배 속도, 곧 고전 입자의 속도로 움직인다. 분산 관계가 직선(빛)이면 현과 접선이 겹쳐 둘이 같다.직접 작도
∣Ψ∣2 는 언제나 가우시안이고 w 가 시간에 따라 줄어든다 — 폭이 는다. 표준편차로
쓰면 σx=1/2w, σp=ℏa 이고
σxσp=2ℏ1+θ2≥2ℏ
t=0 에서 등호 — 2절에서 본 최소 불확정 상태 — 이고 시간이 가면 벌어진다.
σp 는 변하지 않는다. 자유 입자는 운동량이 보존되니 운동량 분포가 변할 이유가
없다. 변하는 것은 위치 분포뿐이다. 초기 폭 σ0=1/2a 로 다시 쓰면 보기 좋은 꼴이
된다.
σx(t)=σ01+(2mσ02ℏt)2,ts≡ℏ2mσ02
ts 가 퍼짐 시간이다. 그 전에는 거의 안 퍼지고, 그 뒤에는 σx≈σ0t/ts=(ℏ/2mσ0)t 로 등속 팽창한다 — 팽창 속도가 σp/m, 곧 운동량 퍼짐이
만드는 속도 퍼짐이다. 평균 운동량 ℏk0 를 주려면 초기 상태에 eik0x 를 곱하면
되고, 결과는 위 포락선의 중심이 ℏk0t/m 으로 이동하는 것뿐이다.
그림 5.3-7. 평균 운동량 ħk₀를 가진 가우시안 파속의 확률 밀도를 t = 0, t_s, 2t_s(t_s = 2mσ₀²/ħ는 퍼짐 시간)에서 그린 것. 봉우리는 군속도 ħk₀/m로 등속 이동하고, 폭 σ(t) = σ₀√(1 + (ħt/2mσ₀²)²)은 1, 1.41, 2.24배로 늘며, 넓이는 언제나 1이다. 운동량 분포는 변하지 않는다 — 퍼지는 것은 위치 분포뿐이다.직접 작도
델타 함수의 정의와 성질은 1.8.1디랙 델타 함수와 그린 함수의 개념에 있다 — 폭은 0, 높이는 무한, 넓이는 1.
α 는 세기이고 단위가 에너지×길이다. 이 문제는 계산이 짧아 속박상태와 산란상태를
한 자리에서 비교하기에 가장 좋고, 두 가지 새 도구 — 도함수의 뜀 조건과 투과·반사
계수 — 를 여기서 처음 만든다. 원점 밖에서는 어디서나 V=0 이라 E<0 이 속박, E>0 이
산란이다.
V 가 유한하면 우변이 0이라 ψ′ 이 연속이고, 델타 함수가 있으면 정해진 크기만큼
뛴다 — 도입부에서 약속한 이어 붙이기 규칙이 이 한 줄이다. 그린 함수의 도함수가 원천에서
뛰는 것과 같은 계산이다(1.8.21차원 경계값 문제의 그린 함수). 우리 해로 Δψ′=−2κA,
ψ(0)=A 이니
κ=ℏ2mα,E=−2mℏ2κ2=−2ℏ2mα2
정규화 2∣A∣2∫0∞e−2κxdx=∣A∣2/κ=1 에서
ψ(x)=ℏmαe−mα∣x∣/ℏ2
그림 5.3-8. 끌어당기는 델타 함수 퍼텐셜 V = −αδ(x)의 단 하나뿐인 속박상태 ψ = √κ e^(−κ|x|). 원점에서 파동함수는 연속이지만 기울기가 −2κψ(0)만큼 뛰어 꼭짓점이 생기고(점선은 양쪽 접선), 양쪽으로 감쇠 길이 1/κ = ħ²/mα로 지수적으로 줄어든다. 속박 에너지 −mα²/2ħ²는 세기 α가 정하는 유일한 에너지 척도다.직접 작도
시간 인자 e−iEt/ℏ 를 붙이면 eikx 는 오른쪽으로, e−ikx 는 왼쪽으로 간다.
그러니 A 는 왼쪽에서 입사하는 파, B 는 왼쪽으로 반사되는 파, F 는 오른쪽으로
투과하는 파, G 는 오른쪽에서 입사하는 파다. 왼쪽에서 쏘는 실험이면 G=0.
경계조건 둘. ψ 의 연속에서 F+G=A+B. 뜀 조건 Δψ′=−(2mα/ℏ2)ψ(0) 에서
ik(F−G)−ik(A−B)=−(2mα/ℏ2)(A+B), 정리하면
F−G=A(1+2iβ)−B(1−2iβ),β≡ℏ2kmα
G=0 을 넣고 B, F 를 A 로 풀면
B=1−iβiβA,F=1−iβ1A
반사 계수와 투과 계수는 확률의 비다 — 파동함수의 제곱의 비.
R≡∣A∣2∣B∣2=1+β2β2,T≡∣A∣2∣F∣2=1+β21,R+T=1
β2=mα2/2ℏ2E 를 넣어 에너지로 쓰면
R=1+2ℏ2E/mα21,T=1+mα2/2ℏ2E1
그림 5.3-9. 델타 함수 퍼텐셜의 투과 계수 T = 1/(1 + E_b/E)와 반사 계수 R = 1/(1 + E/E_b)를 에너지에 대해 그린 것. E_b = mα²/2ħ²는 속박 에너지의 크기이고, E = E_b에서 둘이 반반이 된다. 에너지가 높을수록 잘 통과하고, 낮을수록 잘 튕긴다. α의 제곱만 들어가므로 끌어당기는 우물이든 밀어내는 장벽이든 투과 계수는 같다.직접 작도
무한 우물의 벽을 유한한 깊이로 낮춘다. 이번에는 Griffiths를 따라 우물을 원점에 대칭으로 둔다 —
폭이 2a 다.
V(x)={−V0,0,−a≤x≤a∣x∣>aV0>0
E<0 이 속박, E>0 이 산란이다. 속박상태부터. 세 영역으로 나뉜다. 바깥(∣x∣>a)에서는
ψ′′=κ2ψ 로 지수 감쇠, 안(∣x∣<a)에서는 ψ′′=−ℓ2ψ 로 진동이다.
κ≡ℏ−2mE,ℓ≡ℏ2m(E+V0)
−V0<E<0 이라 둘 다 실수 양수다. 정규화 가능한 조각을 고르면
ψ(x)=⎩⎨⎧Beκx,Csinℓx+Dcosℓx,Fe−κx,x<−a−a<x<ax>a
경계가 둘(x=±a), 조건이 각각 둘(ψ, ψ′ 연속 — V 가 유한하니 ψ′ 도
연속이다), 미지수는 넷에 정규화 하나. 그냥 풀어도 되지만 대칭성이 일을 반으로 줄인다.
퍼텐셜이 우함수이면 해를 우함수와 기함수로 나눠 잡을 수 있고(1절 성질 ①), 그러면 x>0 만
보면 된다.
우함수 해는 안에서 Dcosℓx, 밖에서 Fe−κx 이고 ψ(−x)=ψ(x) 다. x=a 에서
Fe−κa=Dcosℓa,−κFe−κa=−ℓDsinℓa
둘을 나누면 D, F 가 사라진다.
κ=ℓtan(ℓa)
κ 와 ℓ 은 둘 다 E 의 함수라 이것은 E 에 대한 방정식이고 — 1.6.2의
그림과 같은 상황이다 — 초월방정식이라 닫힌 해가 없다. 무차원으로 정리한다.
z≡ℓa,z0≡ℏa2mV0⟹κa=z02−z2
(κ2+ℓ2=2mV0/ℏ2 에서.) 그러면 조건은
tanz=(zz0)2−1
z0 하나가 우물을 전부 말한다 — 깊이 V0, 반폭 a, 질량 m 이 z0∝amV0
한 덩어리로만 들어온다. 기함수 해는 Csinℓx 로 같은 계산을 하면
κ=−ℓcot(ℓa), 곧
−cotz=(zz0)2−1
그림 5.3-10. 유한 우물의 속박상태 조건을 그래프로 푼 그림. 짝수 해의 tan z 가지와 홀수 해의 −cot z 가지 위에 우변 √((z₀/z)² − 1)을 겹치면 교점이 속박 준위다. z₀ = 6이면 교점이 넷(짝수·홀수가 번갈아), z₀ = 1.2이면 짝수 교점 하나뿐이지만 결코 0개는 아니다. 우변은 z = z₀에서 0으로 떨어지므로 z₀보다 큰 z는 없다 — 준위가 V₀보다 깊을 수 없다는 뜻이다.직접 작도
그래프로 읽는다. 좌변 tanz 는 (0,π/2), (π,3π/2), … 에서 0부터 ∞ 로 오르고,
−cotz 는 그 사이 구간 (π/2,π), (3π/2,2π), … 에서 같은 일을 한다. 우변은
z→0 에서 ∞, z=z0 에서 0 으로 단조 감소한다. 그러니 z0 아래에 있는 폭
π/2 짜리 구간 하나마다 교점이 정확히 하나다. 속박상태의 수는
N=⌊π2z0⌋+1
이고 짝·홀·짝·홀로 번갈아 나온다 — 마디 0, 1, 2, 3개. 그리고 z0 이 아무리 작아도
첫 구간 (0,π/2) 의 교점은 남는다. 1차원 우물은 아무리 얕고 좁아도 속박상태를 적어도
하나 갖는다. 5절에서 델타 함수로 본 것과 같은 사실이다.
교점 zn 을 얻으면 En=−V0+ℏ2zn2/2ma2 이고 κna=z02−zn2
다. 파동함수는 안에서 코사인·사인, 밖에서 e−κn∣x∣ 인데 위 준위일수록
κn 이 작다 — 얕게 묶인 상태가 더 멀리 샌다.
그림 5.3-11. 깊이 V₀, 폭 2a인 유한 우물(z₀ = 4)의 속박상태 셋을 각각의 에너지 높이에 그린 것. 파동함수가 벽에서 끊기지 않고 지수적으로 스며들며, 위 준위일수록 감쇠 길이 1/κ가 길다(0.26a, 0.32a, 0.57a). 오른쪽 짧은 눈금은 같은 폭 2a의 무한 우물 준위로, 유한 우물의 준위가 전부 그보다 낮다 — 스며든 만큼 우물이 넓어진 셈이다.직접 작도
E>0 이면 바깥도 진동이다. 왼쪽에서 Aeikx+Be−ikx, 안에서 Csinℓx+Dcosℓx,
오른쪽에서 Feikx, k=2mE/ℏ. 경계 넷을 이어 붙여 C, D 를 소거하면
(Griffiths 문제 2.34)
T−1=1+4E(E+V0)V02sin2(ℏ2a2m(E+V0))
우물 위로 지나가는데도 반사가 있다 — 사인이 0이 아닌 한 T<1 이다. 그리고 사인이 0이
되는 에너지에서는 완전 투과다.
ℏ2a2m(En+V0)=nπ⟺En+V0=2m(2a)2n2π2ℏ2
우변이 폭 2a 의 무한 우물 준위다. 우물 안에 반파장이 정수 번 들어맞으면 두 벽에서
반사된 파가 상쇄 간섭해 반사가 사라진다 — 광학 박막의 반사 방지 코팅과 같은 논리이고,
전자가 희유 기체 원자를 특정 에너지에서 투명하게 지나가는 람사우어–타운센드 효과가
이것이다. 7절의 장벽에서 같은 공명이 V0→−V0 로 다시 나온다.
오른쪽에는 투과파만 둔다(오른쪽에서 오는 것이 없다). x=0 에서 ψ, ψ′ 연속:
A+B=F, k1(A−B)=k2F. 두 미지수 비를 풀면
AB=k1+k2k1−k2,AF=k1+k22k1
반사 계수는 R=∣B/A∣2 이지만 투과 계수는 ∣F/A∣2 가 아니다 — 투과파는 다른
속도로 가므로 확률이 지나가는 비율을 세려면 속도를 곱해야 한다(8절에서 확률 흐름으로
정식화한다). T=(k2/k1)∣F/A∣2 이고
R=(k1+k2k1−k2)2,T=(k1+k2)24k1k2,R+T=1
k2/k1=1−V0/E 이니 R 은 E/V0 하나에만 걸린다. E=V0 에서 R=1, E=2V0 에서
R=0.03, E≫V0 에서 R≈(V0/4E)2 로 천천히 사라진다. 식이 k1↔k2
에 대칭이라 내려가는 턱에서도 똑같이 반사된다 — 고전역학에는 없는 일이다.
E<V0. 오른쪽이 금지 영역이 되어 κ=2m(V0−E)/ℏ 로 감쇠한다.
ψ=Ce−κx (x>0) 로 두고 같은 계산을 하면
AB=k1+iκk1−iκ,AB=1,R=1,AC=k1+iκ2k1
전부 되돌아온다 — 그러나 C=0 이다. 파동함수가 벽 속으로 1/κ 만큼 스며든다.
∣C∣2=4E/V0⋅∣A∣2 이고, 그래도 R=1 인 것은 실수 지수함수가 확률을 나르지
않기 때문이다(8절). 반사파는 위상만 바뀐다: B/A=e−2iθ, tanθ=κ/k1.
그 위상이 6절에서 유한 우물의 준위를 무한 우물보다 낮춘 바로 그 “스며든 만큼의 여유”다.
그림 5.3-12. 왼쪽: 높이 V₀의 계단 퍼텐셜에 E = V₀/2로 입사한 입자의 확률 밀도. 계단 앞에서는 입사파와 반사파가 정상파를 이루고(반사 계수 1), 계단 안으로는 e^(−2κx)로 스며들지만 확률 흐름은 없다. 오른쪽: 반사 계수 R과 투과 계수 T를 E/V₀에 대해 그린 것. E ≤ V₀에서 R = 1이고, 그 위에서도 R은 (V₀/4E)²로 서서히 줄어 고전(점선)처럼 곧바로 0이 되지 않는다. 식이 k₁과 k₂에 대칭이라 내려가는 턱에서도 같은 R이 나온다.직접 작도
뒤 두 식에서 C, D 를 F 로 쓰고 앞 두 식에 넣어 B 를 소거하면 (Griffiths 문제 2.33)
FA=eika[coshκa+2i(kκ−κk)sinhκa]
절댓값을 제곱하고 κ2/k2=(V0−E)/E 를 넣으면
T−1=FA2=1+4E(V0−E)V02sinh2(ℏa2m(V0−E))
E<V0 인데 T=0 이다 — 터널링.E>V0 이면 κ→ik2, sinh→isin 이 되어
T−1=1+4E(E−V0)V02sin2(ℏa2m(E−V0))
6절 우물의 공식에 V0→−V0, 2a→a 를 넣은 것과 같다. sin=0, 곧 장벽 폭에 반파장이
정수 번 들어맞는 에너지에서 완전 투과다.
그림 5.3-13. 에너지 E = V₀/2인 입자가 폭 a의 사각 장벽(κa = 2)을 만나는 정상상태 파동함수의 실수부(실선)와 절댓값(점선). 장벽 앞에서는 입사파와 반사파가 섞여 절댓값이 출렁이고, 장벽 안에서는 지수적으로 줄어들며, 장벽 뒤에는 진폭이 √T ≈ 0.27로 작아진 진행파가 절댓값 일정하게 이어진다. 장벽 뒤의 파장은 앞과 같다 — 에너지가 같기 때문이다.직접 작도
그림 5.3-14. 높이 V₀, 폭 a인 사각 장벽의 투과 계수 T를 E/V₀에 대해 장벽 세기 β = a√(2mV₀)/ħ가 3과 7인 두 경우로 그린 것. E가 V₀보다 낮아도 T는 0이 아니고(터널링), E가 V₀를 넘으면 1보다 작게 진동하다가 장벽 위에 정상파가 정확히 들어맞는 에너지 β√(E/V₀ − 1) = nπ에서만 1이 된다(공명, 고리). β가 클수록 아래는 더 막히고 위의 공명은 촘촘해진다. 점선은 고전적 예상이다.직접 작도
J 가 확률 흐름 — 단위 시간에 한 점을 오른쪽으로 지나가는 확률이다(1.1.7발산정리와 스토크스 정리의
발산정리가 1차원에 내려온 꼴). 평면파 Aeikx 에 넣으면 J=ℏk∣A∣2/m=v∣A∣2 —
밀도 × 속도다. 그러니 계단·장벽에서
T=J입사J투과=k1k2AF2,R=J입사∣J반사∣=AB2
이고 정상상태에서는 ∂t∣Ψ∣2=0 이라 J 가 어디서나 같다 — 그것이
R+T=1 의 정체다. 두 가지가 바로 따라온다. 실수 지수함수 Ce−κx 는
Ψ∗∂xΨ 가 실수라 J=0 — 계단 속으로 스며들어도 흐름은 없고 R=1 이다.
장벽 안에서는 Ceκx+De−κx 의 교차항만 흐름을 나른다:
J=(2ℏκ/m)Im(D∗C). 터널링 전류는 커지는 성분과 줄어드는 성분의
간섭이다 — 둘 중 하나만 있으면 흐르지 않는다.
앞의 인자는 크기가 1 근처다(E=V0/2 에서 최대 4). 물리는 전부 e−2κa 에
있다. 지수에 든 것은 폭 × √(질량 × 높이) 이고, 세 파라미터가 곱으로 들어가 어느 하나가
조금만 변해도 T 가 자릿수로 변한다.
그림 5.3-15. 자유 전자가 E = V₀/2로 사각 장벽을 지나는 투과 계수를 장벽 두께 a에 대해 로그 눈금으로 그린 것. V₀ − E = 0.3, 1, 3 eV 세 경우 모두 직선, 곧 지수 감쇠이고, 기울기 2κ는 장벽 높이의 제곱근에 비례한다. 1 eV 장벽에서는 두께 0.1 nm마다 투과가 0.36배로 줄어 1 nm에서 10⁻⁴ 아래로 떨어진다 — 원자 한 층이 한 자릿수를 바꾼다.직접 작도
실제 장벽은 사각형이 아니다. 산화막에 전계가 걸리면 기울고, 공핍층은 포물선이며, 밴드갭을
건너는 장벽은 삼각형이다. 완만하게 변하는 장벽을 얇은 사각 장벽 여럿으로 썰면 각 조각의
e−2κiΔx 가 곱해지고, 지수가 더해져 적분이 된다.
T≈exp[−2∫x1x2κ(x)dx],κ(x)=ℏ2m(V(x)−E)
x1, x2 는 V(x)=E 인 두 회귀점 — 금지 영역의 양 끝이다. 이것이 WKB 근사의
터널링 공식이고 5.8에서 제대로 유도한다. 앞 인자는 여기서도 1 근처라 지수만 쓴다. 반도체의
세 장벽에 넣어 본다.
삼각 장벽 — 파울러–노드하임. 전계 E(이 장에서 유일하게 나오는 전기장,
에너지 E 와 구별해 필기체로 쓴다) 아래 장벽 V(x)=ϕB−qEx 는 높이
ϕB, 밑변 ϕB/qE 인 삼각형이고 적분이 닫힌다.
T≈exp[−3ℏqE42mϕB3/2]
전계가 셀수록 삼각형이 좁아져 지수적으로 잘 뚫린다. 게이트 산화막의 고전계 누설(13.4),
플래시 메모리의 쓰기·지우기(15.6), 금속 탐침의 전계 방출이 전부 이 식이고, 전류를
ln(I/E2) 대 1/E 로 그려 직선이 나오면 파울러–노드하임 터널링이라
판정한다.
밴드 간 터널링 — 제너. 전계가 걸린 pn 접합에서 가전자대 전자가 밴드갭 Eg 를
건너 전도대로 간다. 장벽 높이 Eg, 폭 Eg/qE 의 삼각형이라 같은 꼴
T∝exp[−42m∗Eg3/2/3qℏE] 이다(케인 공식은
앞의 수치 인자만 다르다). 제너 항복(12.4), 터널 다이오드(12.11), 그리고 문턱하 기울기를
60 mV/dec 아래로 내리려는 터널 FET(14.11)의 전류가 이 지수이고, Eg3/2 때문에
좁은 밴드갭 재료가 유리하다.
쇼트키 장벽 — 오믹 접촉. 금속–반도체 장벽의 폭은 공핍층 폭 W∝1/ND
다. 도핑을 1020cm−3 급으로 올리면 W 가 몇 nm로 얇아져 전자가 장벽 위로
넘지 않고 뚫고 지나가고, 접촉 저항이 exp(cϕB/ND) 꼴로
떨어진다(12.6). 오믹 접촉은 장벽을 없앤 것이 아니라 얇게 만든 것이다.
양자우물과 서브밴드. 이종접합 양자우물(6절), MOS 반전층의 삼각 우물(3절 끝의
n2/3 규칙), 나노시트·핀의 얇은 채널(1절의 구속 에너지)이 전부 1차원 슈뢰딩거
방정식이다. 서브밴드 간격이 상온 kBT 를 넘느냐가 양자 효과가 보이는 기준이고,
유효질량과 폭이 그것을 정한다(11.1, 13.1, 14.9, 17.4).
포논과 생성·소멸 연산자. 2절의 a± 와 n+1, n 이 격자 진동의
양자화(7.4), 전자–포논 산란율의 온도 의존성(11.2), 자발 방출과 유도 방출의 비(17.3, 17.4)
다. 란다우 준위와 사이클로트론 공명은 같은 진동자다(7.6).
밴드 속 전자. 4절의 군속도가 밴드 속도 ℏ−1dE/dk 이고, 파속을 퍼뜨리는 곡률이
유효질량이다(7.7). 델타 함수 격자가 크로니히–페니 밴드를 주고(5절, 7.7), 7절의 전달 행렬이
초격자와 양자 수송 시뮬레이션의 단위다(20.7).
터널링. 게이트 산화막 직접 터널링과 파울러–노드하임(13.4, 14.5), 플래시의 쓰기·지우기
(15.6), 제너 항복과 터널 다이오드·RTD(12.4, 12.11), 터널 FET(14.11), 오믹 접촉의 전계
방출(12.6), STM(19.3). 전부 e−2∫κdx 하나이고, 지수 안의 곱 —
폭 × √(질량 × 높이) — 가 설계 변수다.