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18부 반도체 공정 18.13

에피택시

이 장은 아직 집필 전이다. 절 구성만 잡혀 있다.

기상 성장의 열역학

섹션 제목: “기상 성장의 열역학”

표면 반응과 성장 속도

섹션 제목: “표면 반응과 성장 속도”

자연 산화막 제거와 전처리

섹션 제목: “자연 산화막 제거와 전처리”

도펀트 혼입과 자동 도핑

섹션 제목: “도펀트 혼입과 자동 도핑”

에피층의 결함

섹션 제목: “에피층의 결함”

선택적 에피 성장(SEG)

섹션 제목: “선택적 에피 성장(SEG)”

격자 부정합과 변형층 헤테로에피택시

섹션 제목: “격자 부정합과 변형층 헤테로에피택시”

SiGe·SiC 스트레서

섹션 제목: “SiGe·SiC 스트레서”

MOCVD

섹션 제목: “MOCVD”

MBE와 화학빔 에피택시

섹션 제목: “MBE와 화학빔 에피택시”