박막 증착 II — CVD

이 장은 아직 집필 전이다. 절 구성만 잡혀 있다.

CVD 반응 단계와 질량 작용의 법칙

기체 흐름과 경계층

표면 흡착과 점착 계수

표면 반응 제한과 물질 전달 제한

전구체 화학(실란·TEOS·오존-TEOS)

APCVD·LPCVD·PECVD·HDP-CVD

반응기 설계와 균일도

유전막 응용과 갭필(STI·스페이서·ILD)

스핀온 유전막(SOG·SOD)

금속 CVD

챔버 클리닝(인시추·원격 플라즈마)