실제 MOS 구조의 보정

이 장은 아직 집필 전이다. 절 구성만 잡혀 있다.

일함수 차와 플랫밴드 전압 이동

산화막 전하의 종류 — 고정·이동·트랩·계면

계면 준위 커패시턴스와 컨덕턴스법

poly-Si 게이트 공핍

반전층·축적층 두께의 양자역학적 보정

결합 푸아송–슈뢰딩거 해

등가 산화막 두께 EOT