13부 · MOS 커패시터와 MOSFET 기초

III 반도체 소자 · 9개 장

1. 13.1MOS 구조의 정전기8절
2. 13.2MOS C–V 특성7절
3. 13.3실제 MOS 구조의 보정7절
4. 13.4게이트 유전체의 고전계 효과와 열화6절
5. 13.5MOSFET 기초와 장채널 모델8절
6. 13.6문턱하 영역과 중간반전8절
7. 13.7채널 이동도7절
8. 13.8MOSFET 커패시턴스와 동특성8절
9. 13.9소신호 모델과 잡음8절

기준 교재 — Taur·Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices 3e · Tsividis·McAndrew, Operation and Modeling of the MOS Transistor 3e · Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits · del Alamo, Integrated Microelectronic Devices · Sze·Li·Ng, Physics of Semiconductor Devices 4e