18부 · 반도체 공정

IV 공정과 구현 · 29개 장

1. 18.1공정 개요7절
2. 18.2클린룸과 오염 제어7절
3. 18.3웨이퍼 제조10절
4. 18.4세정과 게터링8절
5. 18.5진공과 플라즈마11절
6. 18.6열산화11절
7. 18.7확산 공정11절
8. 18.8이온주입11절
9. 18.9급속 열처리9절
10. 18.10박막 증착 I — PVD9절
11. 18.11박막 증착 II — CVD11절
12. 18.12박막 증착 III — ALD7절
13. 18.13에피택시10절
14. 18.14포토리소그래피 I — 노광10절
15. 18.15포토리소그래피 II — 레지스트와 트랙11절
16. 18.16해상도 향상과 차세대 리소그래피9절
17. 18.17습식 식각6절
18. 18.18건식 식각12절
19. 18.19CMP와 평탄화8절
20. 18.20소자 분리7절
21. 18.21컨택과 실리사이드7절
22. 18.22금속 배선8절
23. 18.23통합 공정 흐름9절
24. 18.24웨이퍼 테스트와 다이 준비7절
25. 18.25조립과 상호연결8절
26. 18.26웨이퍼·패널 레벨 패키징7절
27. 18.272.xD·3D 집적8절
28. 18.28하이브리드 본딩6절
29. 18.29패키지 소재와 최종 테스트7절

기준 교재 — Campbell, Fabrication Engineering at the Micro- and Nanoscale 3e · Plummer·Deal·Griffin, Silicon VLSI Technology · May·Sze, Fundamentals of Semiconductor Fabrication · Quirk·Serda, Semiconductor Manufacturing Technology · Xiao, Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology 2e · Lau, Semiconductor Advanced Packaging