14부 · 미세 MOSFET과 스케일링

III 반도체 소자 · 11개 장

1. 14.1단채널 효과8절
2. 14.2고전계 수송7절
3. 14.3채널 프로파일 설계7절
4. 14.4소자 변동성과 구조 효과8절
5. 14.5게이트 스택 스케일링7절
6. 14.6기생 요소와 고주파 특성8절
7. 14.7소자 신뢰성7절
8. 14.8스케일링 이론8절
9. 14.93차원 트랜지스터10절
10. 14.10컴팩트 모델과 회로 시뮬레이션8절
11. 14.11차세대 소자 구조8절

기준 교재 — Taur·Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices 3e · Tsividis·McAndrew, Operation and Modeling of the MOS Transistor 3e · del Alamo, Integrated Microelectronic Devices · Hu, Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits · Sze·Li·Ng, Physics of Semiconductor Devices 4e